STP45NE06

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色散热性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍STP45NE06，这款来自ST意法半导体的经典N沟道功率MOSFET，以其高达45A的连续漏极电流和仅28毫欧的超低导通电阻，为您打开高效能、高可靠性设计的大门。它不仅仅是一个开关，更是您系统动力核心的能量枢纽，将每一份电能都精准、高效地输送到需要的地方。

想象一下，在电动工具的强劲马达驱动中，在服务器电源的DC-DC转换模块里，或是在工业自动化设备的电机控制单元内，STP45NE06正以其卓越的性能稳定运行。它60V的漏源电压和175°C的最高结温，确保了在严苛环境下依然游刃有余。其采用的STripFET技术，显著降低了栅极电荷和导通损耗，这意味着更快的开关速度、更低的发热以及整体系统效率的显著提升。无论是应对瞬间的高负载冲击，还是需要长时间稳定工作，它都能成为您最值得信赖的伙伴。

选择STP45NE06，就是选择了一份经过市场长期验证的卓越品质与性能保障。经典的TO-220封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，极大简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典方案升级或维护的绝佳选择。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗久经考验的功率芯片，继续为您的创新产品注入强劲而高效的动力，助您在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STP45NE06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45NE06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。