STF12NK60Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STF12NK60Z。这颗N沟道功率MOSFET以其600V的卓越耐压能力和高达10A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是高效照明镇流器中，STF12NK60Z正以其超低的导通电阻（典型值仅640毫欧）默默工作，将每一份电能损耗降至最低，让系统整体效率显著跃升。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，无论是硬开关还是软开关拓扑，它都能游刃有余，确保您的设备运行更安静、更凉爽、更持久。从工业电机驱动到家用电器，凡是需要高效能、高可靠性功率转换的地方，都是它大展身手的舞台。

选择STF12NK60Z，就是选择了一份经市场验证的卓越品质与稳定供应。其TO-220FP封装不仅提供了出色的散热性能和机械强度，也兼容广泛的生产与安装工艺。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于大量现有成熟产品的升级、维护和持续生产而言，它依然是经过时间考验的可靠之选。为确保您获得百分百原装正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。让STF12NK60Z成为您产品设计中那颗最值得信赖的“功率芯”，携手开启高效节能的新篇章！

• 型号:STF12NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:640 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1740 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。