STF12NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率器件而烦恼？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh II系列中的一颗经典之作STF12NM50N。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、坚固电源系统的信心基石。凭借其500V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，这颗芯片天生就是为应对严苛的工业环境而生，其卓越的MDmesh II技术确保了极低的导通损耗和出色的开关特性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STF12NM50N正扮演着能量高效转换的核心角色。无论是服务器电源、工业照明驱动，还是家用电器中的功率模块，它都能凭借高达150°C的结温和25W的功率耗散能力，在紧凑的空间内稳定运行，有效降低系统热设计的复杂度与成本。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和焊接，大大简化了您的生产流程。选择它，意味着为您的应用场景注入了经久耐用的澎湃动力。

那么，在众多功率器件中，为何要坚定地选择STF12NM50N？答案在于其无可比拟的价值组合。它拥有低至380毫欧的导通电阻（在5.5A，10V条件下），这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接为您节省运营成本。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关动作，减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统运行更安静、更可靠。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为库存解决方案或特定生命周期项目升级的明智之选。如需获取可靠的货源与专业的技术支持，我们推荐您咨询官方授权的ST代理商，他们能为您提供最准确的库存信息与替代方案建议，确保您的项目顺利推进。

• 型号:STF12NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。