STF12NM50ND

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件，将彻底改变您的设计体验。它就是来自ST意法半导体的STF12NM50ND。这款N沟道500V MOSFET，以其卓越的FDmesh II技术，为您带来前所未有的低导通电阻与超快开关速度的完美平衡，让能量转换过程更加丝滑顺畅，显著提升系统整体效率。

无论是工业电机驱动、高性能开关电源（SMPS），还是不断电系统（UPS）和太阳能逆变器，STF12NM50ND都能游刃有余。它高达11A的连续漏极电流和500V的漏源击穿电压，为应对严苛的工业环境提供了坚实的保障。TO-220FP封装不仅确保了出色的散热性能，其通孔安装方式也简化了生产流程，让您的产品从设计到量产都更加高效便捷。想象一下，在您的下一个电源项目中，用它来构建主功率开关或同步整流电路，系统运行将更加稳定安静，温升更低，寿命更长。

选择STF12NM50ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着驱动电路可以更简单，开关损耗得以大幅降低，这在追求高频高效的现代电源设计中至关重要。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的技术和可靠的性能使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了ST尖端FDmesh II技术的功率芯片，成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器，开启能效新纪元。

• 型号:STF12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NM50ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。