STF15NM65N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭650V高压与12A电流的功率开关，以其卓越的性能，将系统效率推向新的高度这正是STF15NM65N为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh II家族的明星成员，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强力引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源充电设施，对功率器件的可靠性与效率都提出了严苛考验。STF15NM65N凭借其先进的超结技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，这意味着在相同电流下，芯片自身的导通损耗更小，产生的热量也更少。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则让开关过程更为迅捷干净，大幅削减了开关损耗。这两大优势的结合，直接转化为系统整体效率的显著提升和温升的有效控制，让您的设备运行更凉爽、更持久，轻松应对长时间高负荷的挑战。

选择STF15NM65N，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其高达650V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压裕量，增强了系统在浪涌等异常情况下的可靠性。TO-220FP封装在经典TO-220的基础上优化了散热与安装特性，兼顾了性能与工艺的便利性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严酷环境下都能稳定工作。当您致力于打造高效、紧凑且可靠的下一代电源产品时，这颗芯片就是您理想中的核心开关。若需确保货源稳定与技术支持，联系专业的ST一级代理将是您明智的决策，他们能为您提供从选型到量产的全程护航。

• 型号:STF15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。