STF16N60M6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STF16N60M6，这颗来自意法半导体UltraFASTmesh家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的核心引擎，其卓越的性能参数，如高达600V的漏源电压和12A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实可靠的动力基础。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高效照明镇流器等关键应用中，每一次开关动作都意味着能量的转换与损耗。STF16N60M6凭借其先进的UltraFASTmesh技术，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗。其结果是什么？是系统整体效率的显著跃升，是温升的有效控制，更是设备在严苛环境下持久稳定运行的信心保障。无论是应对工业现场的波动，还是满足数据中心对能耗的严苛要求，它都能游刃有余。

选择STF16N60M6，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。意法半导体的品牌背书确保了芯片的一致性与高品质，而其经典的TO-220FP封装则兼顾了优异的散热性能与便捷的安装工艺，让您的生产组装更加高效顺畅。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供这颗性能强劲的芯片，更致力于提供全面的技术支持和供应链服务，帮助您将创新想法快速、稳妥地转化为市场领先的产品。立即采用STF16N60M6，让它成为您下一个成功项目的强大心脏。

• 型号:STF16N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。