STF17N62K3

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更小体积与更高功率密度时，是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，一个经过市场验证的卓越解决方案正静待您的发现STF17N62K3。这款源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道功率MOSFET，以其620V的卓越耐压能力和高达15.5A的连续漏极电流，为您的高压、大电流应用场景注入强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体能效、实现设计精简化的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器等严苛的应用环境中，STF17N62K3能够大显身手。其核心价值在于SuperMESH3技术带来的革命性低导通电阻在10V驱动电压下，典型值仅为0.34欧姆。这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非转化为无谓的热量。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗，让您的系统即使在更高频率下工作也能保持冷静与高效，直接助力于提升功率密度，让设备体积更小巧，性能却更澎湃。

选择STF17N62K3，就是选择了一份来自业界巨头的可靠承诺。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的坚固性，结合高达150°C的结温工作能力，确保其在恶劣环境下依然稳定如一。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或寻找高性价比、高可靠性替代方案的绝佳选择。对于需要此类经典高性能器件的工程师，通过值得信赖的ST中国代理渠道，依然可以获取高质量的货源和专业的技术支持，为您的产品生命周期保驾护航。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您打造下一代高效、紧凑型电力电子系统的信心之选。

• 型号:STF17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF17N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。