STF17NF25

当您的电源设计需要在250V高压下稳定输出17A电流时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET II系列中的明星产品STF17NF25。这颗N沟道MOSFET以其卓越的电气特性，重新定义了高效功率转换的标准，让您的系统在严苛环境下依然游刃有余。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源系统中，STF17NF25正扮演着能量流通的核心枢纽角色。它高达250V的漏源击穿电压，为您提供了充足的安全裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而其仅165毫欧的超低导通电阻（在8.5A，10V条件下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，系统整体效率得到显著提升，热量产生更少，稳定性自然更强。这不仅降低了散热设计的复杂度，更直接转化为可观的能源节约和更长的设备使用寿命。

选择STF17NF25，就是选择了一份经市场验证的安心。它源自意法半导体广受赞誉的STripFET II技术平台，该技术以优异的开关性能和坚固性著称。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典和长生命周期产品升级或维护的绝佳选择。通过正规的ST代理商渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，确保供应链的可靠与设计的延续性。TO-220FP封装形式兼顾了出色的功率耗散能力（最大25W）与便捷的通孔安装方式，从原型验证到批量生产都能无缝衔接。

这颗芯片的卓越之处还体现在其动态特性上。仅29.5nC的低栅极电荷和优化的内部结构，使其开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境中稳定服役。无论是提升现有方案的能效，还是为新产品注入强劲动力，STF17NF25都以它坚实的性能，成为工程师手中值得信赖的功率基石。立即体验它带来的高效与可靠，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STF17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF17NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。