STF18N65M2

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STF18N65M2。这颗650V耐压、12A电流能力的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛的高压开关应用而生，其卓越的性能将直接转化为您产品的市场竞争力和终端用户的卓越体验。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器中，STF18N65M2能够轻松驾驭高压环境。其MDmesh M2技术带来了革命性的低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着在频繁开关的工况下，它不仅导通损耗极低，开关损耗也大幅减少，从而让整个系统的效率跃升到一个新台阶。更低的损耗意味着更少的发热，配合TO-220FP封装优秀的散热能力，您的系统可以运行得更凉爽、更稳定，寿命也得以显著延长。

选择STF18N65M2，就是选择了一份可靠与高效并存的保障。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是您提升产品功率密度、简化散热设计、并通过能效认证的得力助手。无论是面对复杂的电磁环境，还是持续的高温工作挑战，其稳健的表现都值得信赖。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道和专业的技术支持，我们的合作伙伴专业的ST代理商将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STF18N65M2，让它成为您下一代高性能电源和驱动方案的核心动力，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。