STF19NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要应对紧凑空间和散热挑战时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？今天，我们为您带来的STF19NM50N，正是意法半导体MDmesh II系列中的一颗明星产品，它完美地平衡了性能、效率与可靠性，专为应对严苛的工业应用而生。想象一下，在500V的高压平台上，这颗MOSFET能够持续输出14A的强大电流，而其导通电阻在10V驱动下仅为250毫欧，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的系统运行更凉爽，寿命更长久。

无论是工业电机驱动、开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)，还是电焊机、光伏逆变器等对功率密度和能效要求极高的领域，STF19NM50N都能大显身手。其TO-220FP封装不仅提供了出色的通孔安装便利性，更优化了散热路径，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作，功率耗散可达30W。这意味着在复杂多变的应用场景中，它能轻松应对峰值负载和持续工作带来的热挑战，为您的设备提供坚实的保护。选择一家可靠的ST芯片代理，您就能轻松获得这颗性能卓越的芯片以及专业的技术支持。

为什么众多工程师在高压功率开关应用中青睐STF19NM50N？答案在于其背后强大的MDmesh II技术。这项技术显著降低了栅极电荷(Qg)和输出电容，使得开关速度更快、开关损耗更低，特别适合高频开关应用。仅34nC的栅极电荷和优化的动态特性，让驱动电路设计更为简单高效，直接帮助您缩短开发周期，降低系统总成本。当您需要一款在高压、高电流下仍能保持低损耗、高可靠性的MOSFET时，STF19NM50N不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略选择。让它为您的下一个设计注入强大而稳定的动力。

• 型号:STF19NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF19NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。