STF20N20

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能够同时兼顾高耐压、大电流和低导通电阻的功率开关解决方案，将如何彻底改变您的产品表现？这正是STF20N20诞生的使命。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出成员，这颗N沟道功率MOSFET以其200V的漏源电压和18A的连续漏极电流能力，为您构建了一个坚固而高效的电力处理核心。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统整体能效、缩小体积并增强可靠性的关键钥匙。

无论是工业电机驱动中需要频繁启停的严苛环境，还是开关电源中追求极致转换效率的核心拓扑，STF20N20都能游刃有余。其125毫欧的超低导通电阻（在10A，10V条件下），意味着在导通状态下更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更低的运行温度和更高的系统效率。对于UPS不间断电源、电焊机、大功率LED驱动以及各类功率转换器而言，这颗芯片的引入，意味着更稳定的输出、更长的使用寿命以及更优的温升控制。即使在-55°C到150°C的宽广结温范围内，它依然能保持稳定的性能，让您的设备从容应对各种极端气候与高强度工作循环。

选择STF20N20，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质与创新传承。TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，其优化的热性能也便于您进行高效的散热管理。尽管该型号已进入停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案咨询，确保项目供应链的稳定与安全。它代表了一个经过市场长期验证的成熟设计，能够帮助您快速实现产品迭代，降低开发风险，将精力聚焦于更具价值的系统创新之上。让STF20N20成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF20N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。