STF21NM50N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭500V高压与18A大电流，并将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STF21NM50N所带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为那些对效率与可靠性有严苛要求的应用而诞生。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的强大实力便展露无遗。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和高效照明镇流器，STF21NM50N都能游刃有余。其190毫欧的超低导通电阻（在9A，10V条件下），意味着在导通状态下的功率损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体系统效率。搭配其优化的栅极电荷（Qg仅65nC），使得开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的电源设计在应对频繁开关的工况时更加从容不迫，轻松实现能效等级的跃升。

选择STF21NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它继承了ST意法半导体在功率半导体领域数十年的深厚积淀，MDmesh II结构确保了出色的雪崩耐量和dv/dt能力，为您的系统提供了坚固的安全屏障。高达150°C的结温工作能力和TO-220FP封装，赋予了它卓越的功率处理能力和散热性能，让您在紧凑空间内也能释放强大功率。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其依然是许多经典和特定需求设计的可靠之选。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功增添一份保障。

• 型号:STF21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。