STP38N65M5

在追求更高能效和可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP38N65M5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的漏源电压和30A的连续漏极电流能力，为您的高压高功率应用提供了坚实的基石。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh V系列尖端技术的结晶，旨在将卓越的性能与出色的能效完美结合，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能充电桩的核心电路中，STP38N65M5正稳定高效地工作着。它极低的导通电阻（典型值95毫欧）意味着更小的传导损耗，能将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让系统整体效率轻松攀升。无论是应对频繁启停的严苛工况，还是需要长时间满载运行的稳定环境，它都能游刃有余，提供持久可靠的动力支持。

选择STP38N65M5，就是选择了一份安心与超越。它高达190W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了系统强大的过载和高温耐受性，有效提升了产品的耐用性和平均无故障时间。经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让您的生产与维护都更加轻松。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将随时为您提供周到的服务。立即采用STP38N65M5，它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的关键钥匙，助您轻松驾驭高压功率世界，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STP38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP38N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。