STF23N80K5

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗与系统稳定性而权衡？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STF23N80K5。这颗800V耐压、16A电流能力的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了中高压应用的能效标准，专为那些对效率与耐用性有严苛要求的工程师而生。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，每一次开关都意味着能量的转换与损耗。STF23N80K5凭借其MDmesh K5超结技术，将导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）实现了精妙的平衡。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。无论是应对频繁启停的工业环境，还是需要长时间满载运行的通信设备，它都能游刃有余，确保系统冷静、高效、持久运行。

选择STF23N80K5，就是选择了一份从容与保障。其高达800V的漏源击穿电压提供了充裕的设计余量，有效抵御电网波动和感性负载关断产生的电压尖峰，大幅提升了系统的鲁棒性。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔设计也便于在原型开发和批量生产中进行可靠的焊接与安装。当您需要稳定可靠的供应链与技术支持时，我们的官方ST代理渠道将确保您获得正品货源与专业服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

• 型号:STF23N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF23N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。