STF2NK60Z

当您在设计一款需要兼顾效率与可靠性的开关电源时，是否曾为寻找一颗能在高压下稳定工作、同时保持出色热性能的功率开关管而烦恼？今天，我们为您带来的STF2NK60Z，正是意法半导体SuperMESH技术家族中的一颗明星产品，它或许就是您期待已久的解决方案。这款N沟道MOSFET以其高达600V的漏源电压和优化的动态特性，专为应对苛刻的工业环境而生，让您的电源设计不仅高效，更能从容应对各种挑战。

想象一下，在您的LED驱动电源、离线式开关电源（SMPS）或是家用电器辅助电源中，STF2NK60Z正扮演着能量高效转换的核心角色。其1.4A的连续漏极电流能力，配合仅为8欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。这直接转化为更长的产品寿命和更高的系统可靠性，让您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得用户的持久信赖。无论是应对市电波动，还是需要在紧凑空间内实现高效散热，它都能游刃有余。

选择STF2NK60Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。SuperMESH技术确保了其在高压开关应用中具有极低的栅极电荷和输入电容，这不仅简化了驱动电路的设计，更能显著提升开关速度，减少开关损耗，让整体系统效率迈上新台阶。其TO-220FP封装提供了优异的功率耗散能力（高达20W），并兼容通孔安装，兼顾了性能与生产便利性。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST代理商，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定。这颗芯片的价值，不仅在于其纸面参数，更在于它能为您的产品注入的强劲竞争力和市场信心。

• 型号:STF2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。