STF30N10F7

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当100V应用场景需要24A的强劲电流处理能力时，STF30N10F7的出现，正是为了终结这种两难选择。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的DeepGATE与STripFET VII技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下压降至仅24毫欧，这意味着更低的传导损耗和更清凉的运行温度，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高功率DC-DC转换器和电动工具，STF30N10F7都能游刃有余。其高达175°C的结温（TJ）和TO-220FP封装，确保了在严苛环境下的长期可靠性与坚固性。这颗芯片就像一位不知疲倦的动力核心，在频繁的开关动作中保持稳定，其优化的栅极电荷（Qg）特性让驱动电路设计更为轻松，有效降低了开关损耗，让您的整机在高频高效运行的同时，依然保持冷静与从容。

选择STF30N10F7，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是ST意法半导体深厚技术积累的体现。虽然该型号已不适用于全新设计，但其成熟的特性使其成为众多升级换代或高可靠性应用的理想之选。当您需要这样一颗性能强劲且稳定的“心脏”时，通过值得信赖的ST代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得专业的技术支持，让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。让STF30N10F7的强大动力，成为您产品在市场竞争中最坚实的后盾。

• 型号:STF30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。