STF31N65M5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗、散热难题和系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STF31N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压和22A的强大电流承载能力，正重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用场景中，系统需要频繁切换高电压大电流。STF31N65M5正是为此而生。其148毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下产生的热量更少，电能损耗显著降低，直接为您节省运营成本并提升能源转换效率。高达150°C的结温工作能力，配合TO-220FP封装优秀的散热特性，确保了即使在高温环境下也能稳定运行，大大延长了设备的使用寿命和可靠性。

选择STF31N65M5，就是选择了一份安心与卓越。它采用了先进的MDmesh V技术，在开关速度和电磁干扰（EMI）之间取得了完美平衡，45nC的低栅极电荷让开关过程更快、更干净，减少了开关损耗，也让驱动电路的设计变得更加简单高效。这意味着您的产品不仅能以更高的频率工作，实现更小的磁性元件尺寸，还能轻松满足日益严格的能效和EMC法规要求。无论您是设计新一代的UPS不同断电源，还是升级电焊机、空调压缩机驱动，这颗芯片都能让您的设计脱颖而出。如需获取正品保障与专业技术支持，请务必通过官方ST授权代理进行采购，为您的创新之路保驾护航。

• 型号:STF31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF31N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。