STP50N65DM6

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热问题而妥协？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案意法半导体MDmesh系列中的明星产品STP50N65DM6。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统效率、降低整体成本、实现设计自由度的关键钥匙。凭借其卓越的650V耐压和高达33A的连续电流能力，这颗芯片天生就是为高效、高可靠性应用而生的。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STP50N65DM6正以其低至91毫欧的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），大幅降低导通损耗和开关损耗。这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的功率密度得以实现，您的设备可以在更凉爽、更安静的状态下全速运行。无论是面对严苛的工业环境，还是要求7x24小时稳定运行的通信基础设施，它都能游刃有余，确保系统的心脏功率转换部分强劲而持久。

选择STP50N65DM6，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。其采用的先进MDmesh技术，在硅片层面实现了超结结构，在击穿电压和导通电阻之间取得了完美平衡，让您在高压应用中也能享受到低压MOSFET般的低损耗体验。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，极大简化了您的生产流程。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您能轻松获取这颗性能猛兽，并快速将其价值转化为您产品的市场竞争力。别再让平庸的功率器件限制您的创新，立即拥抱STP50N65DM6，开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STP50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50N65DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。