STF38N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅拥有650V的坚固防线，更能将导通电阻控制在极低水平，让能量传输近乎无损这正是STF38N65M5为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh V家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源充电桩和光伏逆变器，高效、可靠的能量转换都是成功的基石。STF38N65M5凭借其卓越的650V耐压和30A的连续电流能力，为这些严苛应用提供了坚实的保障。其采用的先进MDmesh V技术，通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着在相同的工况下，它能以更低的开关损耗和导通损耗运行，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。您将发现，系统的整体散热设计可以变得更简单，或者能在更小的空间内实现更大的功率输出，为产品的小型化和轻量化铺平道路。

选择STF38N65M5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与前沿技术的结合。其高达150°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的稳定表现。TO-220FP封装在提供优异散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性。当您致力于打造高效、紧凑且耐用的电源解决方案时，这颗芯片就是您理想的功率开关伙伴。为了确保您能获得稳定、正品的货源和及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这不仅是品质的保证，更是项目顺利推进的坚实后盾。立即采用STF38N65M5，释放您设计的全部潜能，引领能效新标准。

• 型号:STF38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF38N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。