STF3HNK90Z

在追求更高能效和可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡，导致系统效率打折，设计复杂度攀升。今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STF3HNK90Z，这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，正是为破解这些难题而生。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心功率级，STF3HNK90Z能够轻松驾驭高达800V的漏源电压，提供3A的连续电流能力。其卓越的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于4.2欧姆），这意味着更少的导通损耗，更低的温升，直接将电能更高效地传递给负载，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。无论是工业电源的硬开关拓扑，还是需要快速响应的PWM控制场景，其优化的栅极电荷（仅35nC）和输入电容，确保了干净利落的开关特性，减少开关损耗，同时降低了驱动电路的设计压力。

选择STF3HNK90Z，不仅是选择了一颗高性能的器件，更是选择了一份历经考验的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，赋予了它应对严苛环境挑战的底气。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计、出色的性能指标以及市场上可观的库存，使其依然是许多经典设计升级或特定项目备货的明智之选。通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以便捷地获取这颗性能标杆，为您的产品注入稳定而强大的“芯”动力。它代表的是一种以卓越性能为核心的价值主张，助力您的设计在效率、可靠性和总拥有成本之间找到最佳平衡点。

• 型号:STF3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3HNK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。