STF3N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高可靠性与低损耗难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF3N80K5。这款来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达800V的漏源电压和仅为3.5欧姆的低导通电阻，为您的高压应用注入强劲而高效的心脏。它不仅意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，更代表着系统整体能效的显著提升与长期运行稳定性的坚实保障。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STF3N80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其卓越的开关特性与低栅极电荷（仅9.5nC），让开关过程更快、更干净，有效减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效电源模块，这颗芯片都能游刃有余地处理功率转换任务，让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出。

选择STF3N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得100%原装正品保障，还能得到专业的技术支持与供应链服务，让您的产品开发之旅更加顺畅、高效。立即采用STF3N80K5，为您的下一个设计项目奠定高效、可靠且具有竞争力的功率基础！

• 型号:STF3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。