STF57N65M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束策，您是否渴望一颗能在高压、大电流场景下依然保持冷静与高效的“心脏”？今天，我们为您带来的STF57N65M5，正是这样一款能够彻底改变游戏规则的功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，能量转换的每一个环节都至关重要。STF57N65M5凭借其高达650V的漏源电压和42A的连续漏极电流承载能力，为高压侧开关应用提供了坚实的保障。其核心采用的MDmesh V技术，是意法半导体多年研发的结晶，它通过优化的单元结构和先进的工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷。这意味着，在相同的工况下，STF57N65M5产生的热量更少，开关速度更快，从而让您的整个系统运行得更凉爽、更迅捷。这种内在的高效基因，直接转化为更长的设备寿命、更低的散热成本以及更紧凑的整机设计。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时稳定运行的通信基础设施，选型决策都关乎产品的长期可靠性与总拥有成本。选择STF57N65M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。其仅63毫欧的超低导通电阻（在21A，10V条件下），确保了导通损耗被降至极低水平；而优化的动态特性则有助于减少开关损耗，整体效率提升立竿见影。TO-220FP封装提供了出色的功率耗散能力（高达40W），同时兼顾了安装的便利性与机械强度。更重要的是，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能享受到本地化的技术支持和快速供货服务，让您的产品开发与生产进程畅通无阻。

在能源成本日益攀升、绿色设计成为全球共识的今天，一颗高效的功率器件所带来的价值远超其本身。STF57N65M5正是您响应能效挑战、打造下一代高性能电源与驱动系统的理想选择。它让卓越性能触手可及，助您轻松跨越设计难关，在市场竞争中赢得先机。

• 型号:STF57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF57N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。