STF5N52K3

当您的下一个电源设计项目需要在高电压下实现稳定、高效的功率转换时，您是否在寻找一颗既能扛住压力，又能保持冷静的可靠核心？答案或许就藏在STF5N52K3这颗功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率的得力助手。

源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就为应对严苛环境而生。高达525V的漏源电压（Vdss）意味着它能在高压侧开关应用中稳如磐石，为您的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用提供坚实的保障。4.4A的连续漏极电流能力，配合低至1.5欧姆的导通电阻，确保了在传导过程中的损耗被降至最低，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更多的能量被有效利用，直接转化为您产品的能效优势和更长的运行寿命。

想象一下，在您的LED驱动电源中，它能够精准地控制电流，带来稳定无闪烁的光输出；在工业辅助电源里，它能承受住电压波动，保证控制系统的可靠运行。其TO-220FP封装不仅提供了出色的通孔安装可靠性，也兼顾了良好的散热特性，最大25W的功率耗散能力让热量管理变得更为轻松。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是让它无惧严寒酷暑，适应从消费电子到工业自动化等多种应用场景的挑战。选择STF5N52K3，就是为您的设计注入一份源自顶级半导体制造商的品质与信心。如需获取样品或技术支持，可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到量产的一站式服务。

在元器件选型的长河中，理由往往不止于参数表。这颗芯片背后是ST意法半导体深厚的技术积淀和对品质的执着追求。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和可能存在的库存与替代方案，对于许多经典设计升级或特定维护需求而言，依然具有极高的价值。它代表了一个经过时间考验的可靠解决方案，选择它，意味着选择了一条风险更低、性能更可预测的技术路径。让这颗强大的功率开关，成为您构建高效、可靠电力系统的坚实基石。

• 型号:STF5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。