STF5N80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当800V的电压平台成为工业电源、新能源及家电领域的新常态，一颗兼具高耐压、低损耗与卓越热性能的MOSFET，正是您设计突破的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STF5N80K5，它将为您的下一代高效电源方案注入强大动力。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或LED照明驱动器中，STF5N80K5凭借其800V的卓越漏源击穿电压，轻松应对严苛的电压应力与浪涌冲击，为系统构筑起坚实的安全防线。其创新的MDmesh K5超结技术，实现了导通电阻与栅极电荷的完美平衡，1.75欧姆的低导通电阻与仅5nC的超低栅极电荷，意味着更低的传导损耗与开关损耗。这不仅直接提升了整机效率，更能让您在散热设计上更为从容，有效降低系统复杂性与整体成本。

这颗芯片的价值远不止于参数表。当它工作在PFC（功率因数校正）电路、反激式或正激式开关电源拓扑中时，其快速开关特性确保了干净利落的波形，减少了电磁干扰（EMI）的困扰。TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性与散热能力，配合高达150°C的结温工作范围，确保设备即使在高温环境下也能稳定持久运行。无论是面对持续运行的工业设备，还是要求严苛的汽车充电辅助电源，它都能游刃有余，成为工程师信赖的“功率开关艺术家”。

选择STF5N80K5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与面向未来的技术前瞻性。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、缩短研发周期的战略伙伴。其出色的性能一致性，为大规模生产提供了质量保障。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商能为您提供从样品支持到批量供应的全方位服务，确保您的项目顺利推进。现在就拥抱这颗高效能MOSFET，让它成为您撬动更高能效、更可靠产品的技术支点，共同开启绿色能源新时代。

• 型号:STF5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。