STF6N52K3

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望找到一颗既能承受高压冲击，又能保持冷静高效的心脏？答案就在STF6N52K3。这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其525V的卓越耐压能力和仅为1.2欧姆的低导通电阻，为您的高压应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体能效、降低热损耗的关键引擎，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性与能效表现脱颖而出。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是工业电机驱动的核心位置，STF6N52K3正默默发挥着中流砥柱的作用。其高达5A的连续漏极电流和优化的栅极电荷（Qg仅26nC），确保了快速、干净的开关动作，极大减少了开关损耗，让电源转换过程更加丝滑流畅。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要精密调节的照明系统，它都能游刃有余，提供稳定可靠的功率开关解决方案。选择它，就是为您的设备选择了一颗经得起时间与工况考验的“强芯”。

为何众多工程师在面临高压选型时，会倾向于STF6N52K3？理由清晰而有力。首先，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，从容应对严寒酷暑。其次，TO-220FP封装在保证优异散热性能的同时，也提供了便捷的安装方式。更重要的是，背靠ST意法半导体的顶尖工艺与质量体系，这颗芯片带来的是一份安心的品质承诺。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理来获取这颗性能悍将及其全面的技术支持，那无疑是加速项目成功、保障供应链稳定的明智之举。让STF6N52K3成为您下一个明星产品的力量之源，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STF6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。