STF6N95K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与散热挑战之间的艰难平衡？今天，我们为您带来一个堪称完美的解决方案STF6N95K5。这颗来自意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和9A的连续漏极电流，重新定义了高压开关应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您释放设计潜能、打造下一代高效能产品的关键钥匙。

想象一下，在您精心设计的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动器中，STF6N95K5正扮演着核心开关的角色。其卓越的SuperMESH5技术，将导通电阻（RdsOn）在10V驱动下优化至仅1.25欧姆（@3A），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业级变频器、UPS不间断电源，还是高要求的照明镇流器，这颗芯片都能在高频开关状态下保持冷静与高效，让您的系统在严苛环境下依然稳定运行，大幅延长产品寿命。

选择STF6N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著降低了驱动损耗和开关损耗，让您的系统整体效率轻松攀升。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，而-55°C至150°C的宽广工作结温范围，则确保了从寒带到热带的全球部署无忧。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得原装正品和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持和供应链保障，让您的项目从选型到量产一路畅通。立即体验STF6N95K5带来的性能飞跃，让您的设计脱颖而出！

• 型号:STF6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。