STF6NK70Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压开关应用，同时将系统损耗降至最低的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH家族的明星成员STF6NK70Z。这款700V耐压、5A电流能力的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为众多工程师在升级或设计新方案时的信心之选。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STF6NK70Z将如何大显身手。其高达700V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的设计余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让系统稳定性跃升新台阶。而1.8欧姆的低导通电阻（在2.5A，10V条件下），意味着在导通状态下更小的功率损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率，这不仅节省了能源，也简化了散热设计，让您的产品在市场竞争中更具绿色与成本优势。

为何众多资深工程师在关键项目中信赖它？答案在于其背后强大的SuperMESH技术。这项技术优化了芯片结构，在保持高耐压的同时显著降低了导通电阻和栅极电荷。仅47nC的栅极电荷（@10V），使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性和散热能力，确保芯片在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保您能获得正品保障与专业服务。选择STF6NK70Z，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份让设计更从容、让产品更出色的承诺。

• 型号:STF6NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF6NK70Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。