STF8NK85Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STF8NK85Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达850V的漏源电压和卓越的SuperMESH技术，为您的高压应用注入前所未有的强劲动力与可靠性。它不仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在苛刻的工业电源、UPS不间断电源或高效照明镇流器中，STF8NK85Z正以其强大的性能默默工作。它能够轻松应对高压环境下的开关挑战，其低至1.4欧姆的导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的整体系统效率和更长的使用寿命。无论是面对频繁的开关循环，还是需要承受瞬间的电压应力，它都能提供稳定如一的表现，让您的设计从容应对各种复杂工况。

选择STF8NK85Z，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在极端环境下依然可靠。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和集成。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的货源和全面的技术支持，确保您的项目供应链安全无虞。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品未来保驾护航的明智投资。

• 型号:STF8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NK85Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。