STF9NK60ZD

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STF9NK60ZD。这颗源自ST意法半导体SuperFREDmesh家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和7A的连续电流能力，正在成为众多工程师升级换代的首选。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在开关电源的功率因数校正（PFC）电路中，STF9NK60ZD凭借其低至950毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源效率轻松突破新的瓶颈。在电机驱动和照明镇流器领域，其高达600V的漏源电压和稳健的TO-220FP封装，提供了强大的耐压保障和出色的散热性能，确保系统在严苛环境下也能长时间稳定运行。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效电源模块，这颗芯片都能游刃有余，将高性能与高可靠性完美结合。

选择STF9NK60ZD，就是选择了一份来自ST原厂的品质承诺和经过全球验证的技术平台。SuperFREDmesh技术带来的低开关噪声和快速开关特性，让您的设计更容易通过EMC认证，缩短产品上市时间。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为存量项目维护或特定高性价比方案中的明星器件。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行采购，他们不仅能提供正品保障，还能为您后续的选型与设计提供宝贵的本地化服务。立即行动，让STF9NK60ZD为您的下一个项目注入强劲动力与安心保障！

• 型号:STF9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NK60ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。