STFH24N60M2

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而犹豫？今天，我们为您带来一个无需妥协的答案STFH24N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和高达18A的连续漏极电流，为您的电源设计注入了强劲而稳定的核心动力。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源或是高功率LED照明系统中，能量转换的效率与稳定性直接决定了产品的口碑与寿命。STFH24N60M2正是为此类严苛应用而生。它采用了ST引以为傲的MDmesh技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在9A电流、10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为190毫欧。这意味着在能量转换过程中，由芯片本身产生的热损耗被大幅削减，让您的系统运行得更凉爽、更高效，从而轻松应对-55°C至150°C的宽广工作温度范围挑战。

选择STFH24N60M2，就是选择了一份从容与安心。其出色的开关特性，如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得驱动电路的设计更为简化，开关速度更快，有助于提升整体系统的频率响应和动态性能。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热能力，确保35W的最大功率耗散得到有效管理，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与连接的牢固性。当您与值得信赖的ST芯片代理合作时，您获得的将不仅仅是这颗高性能芯片本身，更是从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务，让您的创新之路畅通无阻。

• 型号:STFH24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH24N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。