STFH40N60M2

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统温升而烦恼？当600V高压应用需要兼顾高效率与高可靠性时，STFH40N60M2的出现，正是为破解这一核心挑战而来。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh M2技术家族的杰出代表，以其卓越的开关性能和稳健的功率处理能力，为您的设计注入强大动能。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源充电桩的核心功率变换模块中，每一次开关动作都关乎整体系统的效率与寿命。STFH40N60M2凭借其600V的额定电压和高达34A的连续漏极电流承载能力，轻松应对这些严苛场景。其核心优势在于优化的动态特性：极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高速运行中依然保持冷静，显著提升功率密度。选择它，就是选择了一种让设计更简洁、性能更出众的可靠路径。

为何众多工程师在高压开关应用中信赖这款产品？答案在于它带来的综合价值提升。88毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的传导损耗，电能转换效率得以大幅优化。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的散热性能和机械强度，配合宽达-55°C至150°C的结温工作范围，保障了设备在恶劣环境下长期稳定运行。当您需要可靠的原厂技术支持与稳定的供货保障时，通过官方授权的ST中国代理进行采购，无疑是获得正品与专业服务的最佳选择。从提升产品竞争力到加速项目上市，STFH40N60M2以扎实的性能参数和久经考验的可靠性，成为您高压功率设计版图中不可或缺的关键拼图。

• 型号:STFH40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFH40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。