STFI15N95K5

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为高电压应用中的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够重新定义高性能标准的解决方案STFI15N95K5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和7.5A的连续漏极电流，为您的高压设计注入强劲动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、实现更紧凑设计的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STFI15N95K5凭借其MDmesh K5系列的核心技术，将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）实现了出色的平衡。这意味着在频繁的开关过程中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非无谓的热量。其高达30W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了即使在严苛的环境下也能稳定运行，大大延长了设备的使用寿命和可靠性。

选择STFI15N95K5，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。它采用坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了优异的机械强度和散热性能，简化了您的PCB布局与热管理设计。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性，使其成为特定高要求、长生命周期项目或库存替换的绝佳选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST芯片代理进行采购。让STFI15N95K5成为您下一个成功产品的坚实基石，助力您的设计在效率与可靠性的竞赛中脱颖而出。

• 型号:STFI15N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:855 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。