STFI34N65M5

在追求极致能效的电力转换世界，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热难题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出STFI34N65M5，这颗基于意法半导体革命性MDmesh V技术的650V功率MOSFET，正是为打破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能焊接设备中，每一次开关动作都意味着能量的转换与损耗。STFI34N65M5凭借其卓越的110毫欧超低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），能显著降低导通损耗和开关损耗，让热量更少，效率更高。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更安静，同时将宝贵的电能更多地输送给负载，而非浪费在发热上。其高达28A的连续电流能力和650V的漏源电压，为应对严苛的工业环境与功率需求提供了坚实的保障，让设计游刃有余。

选择STFI34N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的可靠承诺。它继承了ST意法半导体MDmesh V系列的全部精髓卓越的开关性能与坚固性。其通孔I2PAKFP（TO-281）封装，兼顾了出色的散热能力和机械强度，非常适合需要高可靠性的功率应用。尽管该型号已进入停产状态，但通过我们专业的ST授权代理渠道，您依然可以获得稳定可靠的货源与全面的技术支持，确保您的生产与研发计划顺利进行。这不仅仅是一颗芯片的采购，更是为您的关键项目引入了一位值得信赖的“效能伙伴”。

无论是升级现有方案，还是开发面向未来的创新产品，STFI34N65M5都能以其强大的性能，帮助您简化设计、提升系统整体表现。它将复杂的功率管理挑战，转化为清晰的效率优势与市场优势。现在就拥抱这份高效能，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更优的能效比和可靠性脱颖而出。

• 型号:STFI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI34N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。