STW28NK60Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当600V的电压平台和27A的连续电流成为您设计的基础要求时，一颗兼具低损耗与高鲁棒性的MOSFET就是您系统稳定高效运行的关键。现在，让我们向您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STW28NK60Z。它不仅仅是一个功率开关，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，旨在为您的高要求应用注入强劲而可靠的动力。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，功率转换环节的效率每提升一个百分点，都意味着可观的能源节约和更长的运行时间。STW28NK60Z正是为此而生。其185毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下即可实现，这意味着在导通状态下，它的自身损耗被压至极低水平，让更多的电能被有效输送到负载，而非转化为无谓的热量。这不仅提升了整体系统效率，也简化了您的散热设计，让设备在紧凑空间内也能保持冷静运行。无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时连续工作的关键设备，它都能凭借其卓越的电气性能和TO-247-3封装带来的出色散热能力，提供稳定持久的支持。

选择STW28NK60Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术确保了器件在高压下依然拥有快速开关特性和优异的抗雪崩能力，这直接转化为您系统更高的可靠性和更长的使用寿命。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典或特定批次产品升级、维护的优选。对于库存或特定需求，通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取到原装正品，确保供应链的安全与设计的一致性。它高达350W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了您的设计应对各种挑战的底气。当您需要一颗能够扛起高压、大电流重任，同时将效率与可靠性放在首位的功率MOSFET时，STW28NK60Z无疑是一个值得您信赖的伙伴，它将帮助您的产品在性能与品质的竞争中脱颖而出。

• 型号:STW28NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:264 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。