STFI34NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压环境下稳定输出、同时兼顾低损耗与快速响应的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFI34NM60N。这颗源自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和高达29A的连续漏极电流，为您的电源设计注入强大而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、降低运行成本的关键所在。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或高效开关电源（SMPS）等严苛的应用场景中，系统需要频繁应对高压冲击和高电流负载。STFI34NM60N正是为此而生。其105毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，更多的电能被有效转换而非浪费为热量。这不仅直接提升了整机效率，也显著降低了散热设计的复杂性与成本，让您的设备在长时间高负荷运行中依然保持冷静与可靠。其优化的栅极电荷特性，确保了快速且干净的开关动作，有效减少了开关损耗，尤其适合高频开关应用，让电源的动态响应更加敏捷。

选择STFI34NM60N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。MDmesh II技术赋予了它卓越的性能平衡，在高压、高电流与低损耗之间取得了完美统一。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了优异的机械强度和散热能力，确保在恶劣环境下依然稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极高要求场景下的经典之选。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗经典的功率器件，成为您打造高效、耐用、具有市场竞争力的电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STFI34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI34NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。