STFI5N80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时又要严格控制成本和空间时，您是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STFI5N80K5。这颗N沟道高压MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和优化的动态特性，专为应对苛刻的开关电源环境而生，是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在服务器电源、工业电源适配器、LED照明驱动或是家用电器辅助电源中，STFI5N80K5正以其出色的表现默默工作。它高达800V的漏源电压（Vdss）提供了充足的安全裕量，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的系统运行更加安心。其4A的连续漏极电流能力，结合MDmesh K5专利超结技术带来的极低导通电阻（Rds(on)），意味着更低的传导损耗和发热量。这不仅直接提升了整机效率，更能帮助您简化散热设计，缩小产品体积，在激烈的市场竞争中赢得先机。

选择STFI5N80K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用，让您的电源设计轻松达到更高的能效标准。通孔I2PAKFP（TO-281）封装提供了坚固的机械结构和优异的散热性能，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，为您的现有产品维护和升级提供坚实保障。让STFI5N80K5成为您可靠设计中的核心动力，驱动创新，能效制胜。

• 型号:STFI5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI5N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。