STFI5N95K3

当您需要一款能在高压环境中稳定运行、同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STFI5N95K3。这颗强大的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和优化的动态特性，为您的高压应用筑起一道坚实而高效的防线。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂性的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器等关键应用中，每一次开关动作都关乎系统的整体效率与稳定性。STFI5N95K3正是为此而生。其卓越的950V耐压能力，让它在应对电网波动或感性负载产生的电压尖峰时游刃有余，极大地增强了系统的鲁棒性。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)）特性，意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的能源转换效率，让您的设备在长时间运行中也能保持冷静与高效。

选择STFI5N95K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。SuperMESH3技术确保了其在高压下依然拥有出色的开关速度和坚固性。通孔I2PAKFP封装提供了优异的散热能力和机械强度，非常适合对可靠性要求极高的工业环境。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST中国代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保您的生产与研发计划顺利进行。让STFI5N95K3成为您高压功率设计的核心，它将以其强悍的性能和极高的性价比，助您轻松攻克设计挑战，赢得市场先机。

• 型号:STFI5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI5N95K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。