STFI7N80K5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时将损耗降至最低的功率开关？这正是STFI7N80K5诞生的使命。作为ST意法半导体SuperMESH5家族的杰出代表，这颗N沟道MOSFET凭借800V的卓越耐压能力和仅为1.2欧姆的超低导通电阻，为您的高压应用场景注入了澎湃而精准的动力源泉。它不仅是一颗组件，更是您提升整机效率、缩小产品体积、强化系统稳定性的战略支点。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是电动汽车充电桩的PFC电路中，电压应力与开关损耗往往是性能瓶颈。STFI7N80K5正是为此类严苛环境而生。其高达6A的连续漏极电流和优化的栅极电荷特性，确保了在频繁开关过程中响应迅速、发热可控，让您的电源模块即使在满载运行时也能保持冷静与高效。无论是应对电网波动，还是驱动感性负载，它都能提供坚实的保护屏障，大幅延长终端产品的使用寿命。

选择STFI7N80K5，意味着您选择了一个经过市场验证的高可靠性解决方案。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场与特定升级项目中依然极具价值。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师而言，通过值得信赖的ST芯片代理渠道，依然可以获取高质量的货源与全面的技术支持。这颗芯片所代表的，不仅是ST在功率半导体领域深厚的技术积淀，更是一种以客户价值为核心的设计哲学用更少的损耗，传递更强的功率，最终让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STFI7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI7N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。