STFU16N65M2

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的损耗与散热问题而困扰？当系统需要处理650V高压、11A电流时，传统的MOSFET往往在效率与温升之间难以平衡。现在，这一切有了更优解来自ST意法半导体MDmesh M2系列的明星产品STFU16N65M2，正以其卓越的性能重新定义中高压应用的能效标准。

这颗采用先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率器件可比。其核心价值在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅360毫欧的Rds(on)值，意味着在相同电流下，它能将导通损耗大幅降低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设计在严苛环境下也能稳定运行。无论是伺服驱动、工业电源，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STFU16N65M2都能成为其中高效、安静的能量枢纽。

选择它，就是选择了一份从容与信心。其优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让系统整体响应更迅捷。TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的坚固性，非常适合对空间和可靠性有双重要求的工业场景。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的ST一级代理身份能确保您获得原厂正品与专业的售前售后支持。这意味着，从原型设计到批量生产，您都能获得无缝衔接的供应链保障。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的能效和可靠性是脱颖而出的关键。STFU16N65M2不仅仅是一个元器件，它更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、并赢得客户信赖的战略性选择。让它为您的下一个电力电子项目注入强劲而高效的核心动力。

• 型号:STFU16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU16N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。