STB20N60M2-EP

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅能轻松应对600V的高压环境，还能在高温下稳定输出13A的电流，将系统的整体效率提升到一个新的台阶。这正是STB20N60M2-EP为您带来的核心价值。作为ST意法半导体MDmesh M2-EP家族的明星成员，它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您实现高效、可靠电源设计的得力伙伴。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STB20N60M2-EP都能大显身手。其先进的MDmesh M2-EP技术，通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着在频繁开关的工况下，它能有效减少导通损耗和开关损耗，让您的设备运行得更“冷静”，更持久。面对150°C的高结温工作环境，它依然游刃有余，为您的产品在严苛应用中的稳定运行提供了坚实保障。选择它，就是为您的电源模块注入了高效与可靠的双重基因。

那么，为什么众多工程师在高压大电流应用中选择信赖它？答案在于其卓越的综合性能与易用性。D2PAK的封装形式兼顾了优异的散热能力和表面贴装的便利性，简化了您的PCB布局与生产流程。极低的栅极电荷（典型值22nC）让驱动电路设计更为轻松，有助于提升开关频率，从而允许使用更小体积的磁性元件，助力实现产品的小型化。当您需要为关键项目寻找可靠的功率解决方案时，不妨联系专业的ST代理商，获取关于这颗芯片更详尽的技术支持与选型指导。选择STB20N60M2-EP，不仅仅是选择了一颗MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的高性能平台，它将直接转化为您产品在效率、功率密度和可靠性上的竞争优势，助您在激烈的市场竞争中率先冲线。

• 制造商产品型号：STB20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB20N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。