STP10NK80Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当800V的严苛电压环境遇上频繁的开关动作，普通的MOSFET往往显得力不从心。现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP10NK80Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，为您的高压应用筑起一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、保障长期稳定运行的核心引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或工业电机驱动器中，STP10NK80Z正发挥着关键作用。其采用的SuperMESH技术是性能的保证，这项专利技术显著优化了单元结构，使得在高达800V的电压下，导通电阻（RDS(on)）依然能保持极低的水平，典型值仅为900毫欧。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的能源利用效率和更凉爽的系统运行温度。无论是面对家用电器中的高效电源，还是应对照明系统、电焊机等工业设备的严苛需求，它都能游刃有余，确保功率转换过程既强劲又安静。

选择STP10NK80Z，就是选择了一份安心与前瞻性。其出色的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关行为，这对于减少开关损耗、提升系统频率响应至关重要，让您的设计在动态性能上快人一步。同时，高达190W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，从容应对各种恶劣环境与负载波动。经典的TO-220AB封装不仅提供了卓越的散热性能，也便于安装和集成。当您需要可靠的原厂正品和专业的技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这是保障产品生命周期与项目成功的关键一步。让STP10NK80Z成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STP10NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。