STFU18N60M2

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，让我们向您介绍一个能够完美平衡这些关键需求的解决方案STFU18N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压能力和TO-220FP封装带来的出色散热表现，正在重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STFU18N60M2正以其低导通电阻和优化的开关特性，悄无声息地工作着。它有效降低了导通和开关过程中的能量损耗，这意味着您的设备能以更低的温升运行，显著提升整体能效，同时为系统赢得更长的使用寿命和更高的可靠性。无论是面对严苛的工业环境还是要求7x24小时稳定运行的通信基础设施，它都能提供坚实的性能保障。

选择STFU18N60M2，就是选择了一份来自全球半导体领导者的品质承诺。其出色的电气参数确保了设计的灵活性与鲁棒性，而标准化的封装则简化了您的生产与组装流程。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您将获得原厂正品保障、完整的技术支持以及稳定的供货，彻底规避供应链风险。这不仅仅是选择了一颗芯片，更是为您的产品选择了一条通往高效、可靠与成功的捷径。立即采用STFU18N60M2，让它成为您下一个明星产品的核心动力。

• 型号:STFU18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU18N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。