STFU26N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑、更可靠的功率转换方案时，是否曾思考过，一颗MOSFET的性能上限究竟在哪里？今天，我们为您带来的STFU26N60M2，正是意法半导体给出的一个卓越答案。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是驱动下一代高效能设备的核心动力引擎。凭借其MDmesh M2技术的深厚内功，这颗芯片在600V的高压下，依然能保持极低的导通损耗，将能量转换过程中的浪费降至最低，让每一瓦电力都物尽其用，直接为您带来系统整体能效的显著提升和运营成本的切实降低。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，稳定与高效是生存的法则。STFU26N60M2正是为此而生。它高达20A的连续漏极电流承载能力和卓越的开关特性，确保了系统在频繁启停和负载突变时依然从容不迫。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，保障了芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，也为您的PCB布局提供了更大的灵活性。这意味着，无论是追求功率密度的紧凑型设计，还是注重长期可靠性的工业级应用，它都能完美融入，成为系统中那个最让人放心的“力量担当”。

选择STFU26N60M2，就是选择了一份由尖端技术和市场验证共同背书的高性能保障。其165毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）和仅34nC的低栅极电荷（Qg），共同实现了开关速度与导通损耗的绝佳平衡，让您的设计在效率与电磁兼容性（EMI）之间找到黄金平衡点。这直接转化为更低的温升、更小的散热器需求以及更长的系统寿命。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们不仅能确保您获得正品货源，更能提供从选型到应用的全方位服务，让您的创新之路畅通无阻。立即将STFU26N60M2纳入您的设计清单，体验它如何以卓越性能，重新定义您产品的市场竞争力。

• 型号:STFU26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STFU26N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。