STFW42N60M2-EP

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗功率器件，不仅能承受600V的高压和34A的连续电流，更能将导通电阻控制在极低的87毫欧，这意味着什么？这意味着更少的能量以热的形式被浪费，意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久、更可靠。这正是STFW42N60M2-EP为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升整机效率、迈向绿色能源未来的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断增长的新能源汽车充电桩和太阳能逆变器市场，对功率密度的要求都日益严苛。STFW42N60M2-EP凭借其卓越的MDmesh M2技术，完美应对这些挑战。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，显著降低了开关损耗，让您的变频器或PFC电路工作在更高的频率成为可能，从而允许使用更小、更轻的磁性元件。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，配合其坚固的ISOWATT-218FX封装，赋予了它无与伦比的环境适应性和长期稳定性，即使面对严苛的工业环境或频繁的负载波动，也能稳如磐石。

选择STFW42N60M2-EP，就是选择了一份由尖端技术背书的高性能保障。它代表了意法半导体在高压功率MOSFET领域的深厚积淀，其低导通电阻与快速开关特性的精妙平衡，直接转化为系统级的效率提升和温升降低。这不仅能帮助您轻松满足日益严格的能效标准，更能简化您的热管理设计，降低整体系统成本。当您需要这样一颗能够担当重任的核心功率开关时，通过值得信赖的ST授权代理获取正品STFW42N60M2-EP，无疑是确保产品成功与供应链安全最明智的一步。让它成为您下一代高能效设计的强大心脏，释放无限潜能。

• 型号:STFW42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW42N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。