STFW8N120K5

当您的电源设计面临1200V高压环境的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STFW8N120K5。这颗N沟道高压MOSFET，以其卓越的1200V耐压能力和高达6A的连续漏极电流，为您的高压电源、工业电机驱动和新能源应用注入强大而可靠的动力核心。它不仅仅是一个元器件，更是您系统效率和可靠性的坚实保障。

想象一下，在太阳能逆变器中，它需要日夜不停地处理不稳定的直流高压，并将其高效转换为可用交流电；在工业伺服驱动器中，它必须精准控制大功率电机的启停与调速，承受频繁的电压尖峰。这正是STFW8N120K5大显身手的舞台。其采用的先进MDmesh K5技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅2欧姆@10V驱动），这意味着更低的导通损耗和发热量，直接提升了整机效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是UPS不间断电源、电焊机，还是电动汽车充电桩，它都能游刃有余，确保能量转换过程顺畅无阻。

选择STFW8N120K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的卓越性能。其坚固的TO-3PF封装提供了出色的散热能力和机械强度，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下稳定工作。极低的栅极电荷（仅13.7nC）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更简单，进一步优化了系统的动态响应和整体能效。当您需要可靠的原装正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理团队。让STFW8N120K5成为您下一个成功设计的强大引擎，共同开启高效、可靠的高压功率应用新篇章。

• 型号:STFW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• STFW8N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。