STP18NM60ND

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？现在，一个经过市场验证的成熟解决方案正静候您的选择STP18NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和13A连续电流能力，为您构建坚固、高效的功率处理核心奠定了坚实基础。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体性能、降低长期运营成本的关键伙伴。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明驱动器中，STP18NM60ND正发挥着核心作用。其290毫欧的低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则显著降低了开关损耗，让您的系统在频繁开关状态下依然保持冷静与高效。高达110W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，确保了出色的散热性能和便捷的安装方式，无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费类产品对紧凑空间的要求，它都能游刃有余。

选择STP18NM60ND，就是选择一份由意法半导体强大技术基因带来的安心与价值。FDmesh II技术专为降低开关损耗和提升dv/dt能力而优化，让您的设计在效率竞赛中脱颖而出。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为库存充裕时期极具性价比的经典之选。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货支持时，通过官方授权的ST代理商进行采购，是保障产品正宗与供应链安全的最佳途径。让这颗久经考验的功率芯片，为您的下一个成功项目注入强劲而可靠的动力。

• 型号:STP18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP18NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。