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STGAP2HSMTR

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器,封装:8-SO
  • 技术参数:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGAP2HSMTR参数详情:

想象一下,您的工业电机驱动系统正面临严苛的电磁环境挑战,信号延迟或失真可能导致控制失灵,甚至设备损坏。您是否在寻找一款能够确保信号纯净、响应迅捷且坚如磐石的隔离驱动解决方案?现在,答案就在眼前STGAP2HSMTR,这颗来自ST意法半导体的高性能单通道隔离栅极驱动器,正是为征服此类挑战而生。

它不仅仅是一个隔离器,更是系统可靠性的守护神。凭借高达5000Vrms的卓越电气隔离能力,它能将高压侧的干扰与低压控制侧彻底隔绝,为您的设计筑起一道安全长城。在瞬息万变的工业现场,其高达100V/ns的共模瞬变抗扰度意味着,即使面对最剧烈的电压尖峰和噪声,信号传输依然稳如泰山,确保您的IGBT或SiC MOSFET开关动作精准无误。无论是伺服驱动、变频器、工业电源,还是不断追求效率和功率密度的光伏逆变器与电动汽车充电桩,STGAP2HSMTR都能无缝融入,成为提升系统整体性能和寿命的关键一环。

选择它,就是选择极致的性能与设计自由。其高达4A的峰值拉灌电流输出能力,足以轻松驱动大功率开关管,显著减少开关损耗,提升能效。更令人印象深刻的是,它实现了高速与精准的完美平衡最大传播延迟仅90纳秒,脉宽失真低至20纳秒,配合30纳秒的典型上升/下降时间,让您的系统响应快人一步,控制环路带宽得以大幅拓展。宽达3V至5.5V的输出侧供电电压,赋予了您更大的设计灵活性。从-40°C到125°C的广阔工作温度范围,确保它在最恶劣的环境中也能稳定运行。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一体的驱动芯片时,通过值得信赖的ST代理进行采购,将是获得正品保障与专业技术支持的最佳途径。让STGAP2HSMTR成为您下一代高可靠性功率系统的核心驱动力,开启高效、安全、稳定的新篇章。

  • 型号:STGAP2HSMTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:容性耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):100V/ns
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):90ns,90ns
  • 脉宽失真(最大):20ns
  • 上升/下降时间(典型值):30ns,30ns
  • 电流 - 输出高、低:4A,4A
  • 电流 - 峰值输出:4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
  • 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 认证机构:UL
  • STGAP2HSMTR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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