STGB20H65DFB2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体的新一代高性能IGBTSTGB20H65DFB2，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的核心引擎。凭借其先进的沟槽型场截止技术，这颗芯片在650V的电压平台上，实现了仅为2.1V的低饱和压降，这意味着在20A的典型工作电流下，导通损耗被大幅削减，让系统的整体效率轻松跃升一个新台阶。

想象一下，在变频空调、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，设备需要持续稳定地处理高功率。STGB20H65DFB2正是为此而生。其高达40A的连续集电极电流和60A的脉冲电流能力，提供了充沛的动力储备。更令人印象深刻的是其卓越的开关性能：开启延迟仅16纳秒，关断延迟78.8纳秒，配合优化的栅极电荷和开关能量，使得开关过程干净利落，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI）。这直接转化为更低的系统温升、更小的散热器需求以及更安静可靠的运行体验，让您的终端产品在市场中脱颖而出。

选择STGB20H65DFB2，就是选择了一份经得起考验的可靠性与卓越性能的保障。其宽泛的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一。采用坚固的TO-263-4（DPak）表面贴装封装，不仅提供了优异的散热能力，也简化了您的PCB布局和自动化生产流程。当您寻求稳定、高效的功率解决方案时，这颗芯片无疑是您的理想之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎随时联系我们的ST中国代理团队，我们将为您提供全方位的专业服务，助您的新项目快速落地，抢占市场先机。

• 型号:STGB20H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:147 W
• 开关能量:265J（导通），214J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:56 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):215 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
• 供应商器件封装:D2PAK-3
• STGB20H65DFB2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。