STL10LN80K5

当您的下一代电源设计面临效率与尺寸的双重挑战时，是否渴望找到一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的核心开关器件？答案就在STL10LN80K5。这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压和仅为660毫欧的超低导通电阻，为您重新定义了高功率密度设计的可能性。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的秘密武器。

想象一下，在紧凑的服务器电源、工业电机驱动或高要求的LED照明驱动器中，空间何其宝贵，散热挑战何其严峻。STL10LN80K5凭借其先进的MDmesh K5技术，在相同的硅片面积上实现了更优的开关性能与导通损耗平衡。这意味着，您可以在更小的PCB面积上实现更高的功率输出，同时显著降低开关过程中的能量损耗，让系统整体效率轻松攀升。其高达150°C的结温工作能力，确保了即使在严苛环境下也能稳定运行，为您的产品可靠性加上了一道坚固的保险。

为何众多领先的电源制造商纷纷将目光投向它？因为选型就是选择未来。在追求极致效率的今天，每一瓦损耗的降低都意义重大。STL10LN80K5极低的栅极电荷（仅15nC）和输入电容，使得驱动更加轻松，开关速度更快，进一步减少了开关损耗，特别适用于高频开关电源设计。其创新的PowerFlat VHV封装，不仅提供了优异的散热性能，还大幅节省了垂直空间，是真正为现代高密度PCB布局而生的解决方案。选择它，就是选择了一种经过市场验证的、能够助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出的技术路径。如需稳定的供货与专业的技术支持，我们的ST一级代理团队随时为您服务。

从原型设计到量产爬坡，STL10LN80K5所代表的不仅仅是一颗芯片的参数，更是一套完整的价值承诺：它承诺更少的能源浪费、更紧凑的系统设计、以及更长久的产品生命周期。当您将这颗高效能的“心脏”植入您的系统，您收获的将是终端客户对产品性能与可靠性的由衷认可。立即采用STL10LN80K5，开启您的高效电源设计新篇章，让创新不再受限于功耗与空间。

• 型号:STL10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。