STGB20NB41LZT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍意法半导体PowerMESH家族的明星产品STGB20NB41LZT4。这颗集卓越性能与坚固可靠于一身的IGBT，正是为突破效率瓶颈、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下，在变频驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心电路中，能量需要被高效、精准且稳定地控制。STGB20NB41LZT4凭借其442V的高击穿电压和40A的连续集电极电流能力，轻松应对严苛的工业环境。其低至2V的饱和压降(Vce(on))意味着在导通状态下损耗极低，更多的电能被有效传递，而非转化为令人头疼的热量。无论是驱动电机平稳运转，还是在电网与储能系统间进行无缝能量转换，它都能确保系统运行得更冷静、更持久。

选择STGB20NB41LZT4，就是选择了一份从容与安心。其优化的开关特性（开启/关断延迟时间短）与200W的强大功耗处理能力，直接助力您简化热管理设计，减少散热片尺寸，从而打造出更小巧、更轻便的终端产品。表面贴装型DPak封装不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。从-55°C到175°C的广阔结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定如一，大幅提升了系统的整体可靠性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。立即采用STGB20NB41LZT4，让它成为您下一代高效能设计的强大心脏，共同开启绿色能源与智能驱动的未来。

• 型号:STGB20NB41LZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 442V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:442 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A
• 功率 - 最大值:200 W
• 开关能量:5mJ（导通），12.9mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:46 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:1s/12.1s
• 测试条件:320V，20A，1 千欧，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB20NB41LZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。